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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
Ago-2008Indium tin oxide thin films prepared by ion beam assisted deposition technique at different ion beam currentsMeng Lijian; Gao Jinsong; Teixeira, Vasco M. P.; Santos, M. P. dosArtigoAcesso aberto
2009The role of modulated IR radiometry measurements in the characterization of Zr-O-N thin filmsMacedo, Francisco; Carvalho, Pedro; Cunha, L.; Vaz, F.; Gibkes, Juergen; Bein, Bruno K.; Plezl, JosefArtigoAcesso aberto
Jul-2009Study of indium tin oxide thin films deposited on acrylics substrates by Ion beam assisted deposition techniqueMeng Lijian; Liang Erjun; Gao Jinsong; Teixeira, Vasco M. P.; Santos, M. P. dosArtigoAcesso aberto
2-Jul-2009Influence of concentration of vanadium in zinc oxide on structural and optical properties with lower concentrationWang Li-Wei; Xu Zheng; Meng Lijian; Teixeira, Vasco M. P.; Song Shigeng; Xu Xu-RongArtigoAcesso aberto
2008Structural study of the oxidation process and stability of NbOxNy coatingsChappé, J. M.; Carvalho, P.; Machado, A. V.; Vaz, F.; Alves, E.; Barradas, N. P.; Fenker, M.; Kappl, H.ArtigoAcesso restrito UMinho
27-Mai-2008Influence of the chemical and electronic structure on the electrical behavior of zirconium oxynitride filmsCarvalho, P.; Chappé, J. M.; Cunha, L.; Lanceros-Méndez, S.; Alpuim, P.; Vaz, F.; Alves, E.; Rousselot, C.; Espinós, J. P.; Gonzalez-Elipe, A. R.ArtigoAcesso aberto
30-Jan-2004Effect of substrate bias voltage on amorphous Si–C–N films produced by PVD techniquesCunha, L.; Moura, C.; Leme, J.; Andrês, G.; Pischow, K.ArtigoAcesso aberto
2-Dez-2002Physical and morphological characterization of reactively magnetron sputtered TiN filmsVaz, F.; Machado, P.; Rebouta, L.; Mendes, J. A.; Lanceros-Méndez, S.; Cunha, L.; Nascimento, Sérgio M. C.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.; Alves, E.; Sidor, A.ArtigoAcesso aberto
3-Jan-2006Properties of MoNxOy thin films as a function of N/O ratioBarbosa, José Gusman; Cunha, L.; Rebouta, L.; Moura, C.; Vaz, F.; Carvalho, S.; Alves, E.; Le Bourhis, E.; Goudeau, Ph.; Rivière, J. P.ArtigoAcesso aberto
Jul-2009Properties changes of Ti(C, O, N) films prepared by PVD : the effect of reactive gases partial pressureCunha, L.; Moura, C.; Vaz, F.; Chappé, J. M.; Olteanu, C.; Munteanu, D.; Munteanu, A.ArtigoAcesso aberto
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