Pesquisa avançada

.

Filtros atuais:

Usar filtros adicionais para refinar os resultados da pesquisa:

 |          

Lista de resultados: 1-10 de um total de 17 resultados (tempo de pesquisa: 0.0 segundos).
DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
Jun-2018Annealing induced effect on the physical properties of ion-beam sputtered 0.5 Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 – 0.5 (Ba0.7Ca0.3)TiO3-δ ferroelectric thin filmsOliveira, M. J. S.; Silva, J. P. B.; Veltruská, K.; Matolín, V.; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, M.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Jan-2016Ferroelectric polarization and resistive switching characteristics of ion beam assisted sputter deposited BaTiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2017Unraveling the resistive switching effect in ZnO/0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 heterostructuresSilva, J. P. B.; Vorokhta, M.; Dvořák, F.; Sekhar, K. C.; Matolín, V.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
11-Jan-2017Oxygen partial pressure induced effects on the microstructure and the luminescence properties of pulsed laser deposited TiO2 thin filmsKunti, Arup Kumar; Sekhar, K. C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.; Sharma, Shailendra KumarArtigoAcesso restrito UMinho
2016Synthesis, structural and luminescence studies of pyrochlore phase free TiO2:Dy3+ produced by solid-state reaction methodKunti, Arup Kumar; Sekhar, K. C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.; Sharma, Shailendra KumarArtigoAcesso restrito UMinho
2015Ferroelectric phase transitions studies in 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8) O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 ceramicsSilva, J. P. B.; Queirós, E. C.; Tavares, P. B.; Sekhar, K. C.; Kamakshi, Koppole; Moreira, J. A.; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2017Light controlled resistive switching and photovoltaic effects in ferroelectric 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Nóvoa, X. R.; Queirós, E. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Tavares, P. B.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2016Light-controlled resistive switching in laser-assisted annealed Ba0.8Sr0.2TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. A.; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
11-Abr-2017Enhanced resistive switching characteristics in Pt/BaTiO3/ITO structures through insertion of HfO2:Al2O3 (HAO) dielectric thin layerSilva, J. P. B.; Faita, F. L.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Pasa, A. A.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso aberto
2018Impact of the ferroelectric layer thickness on the resistive switching characteristics of ferroelectric/dielectric structuresSilva, J. M. B.; Silva, José Pedro Basto; Sekhar, K. C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
1-10 de um total de 17 resultados (tempo de pesquisa: 0.0 segundos).

Descobrir