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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
2016Light-controlled resistive switching in laser-assisted annealed Ba0.8Sr0.2TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. A.; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2018Impact of the ferroelectric layer thickness on the resistive switching characteristics of ferroelectric/dielectric structuresSilva, J. M. B.; Silva, José Pedro Basto; Sekhar, K. C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2014Effect of bi-layer ratio in ZnO/Al2O3 multilayers on microstructure and functional properties of ZnO nanocrystals embedded in Al2O3 matrixSekhar, K. C.; Levichev, S.; Buljan, M.; Bernstorff, S.; Kamakshi, Koppole; Chahboun, Adil; Almeida, A.; Moreira, J. A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2012Effect of Pt bottom electrode texture selection on the tetragonality and physical properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 thin films produced by pulsed laser depositionSilva, José Pedro Basto; Sekhar, K. C.; Almeida, A.; Moreira, J. Agostinho; Martín-Sánchez, J.; Pereira, Mário; Khodorov, Anatoli Anatolievich; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso aberto
2023Are lead-free relaxor ferroelectric materials the most promising candidates for energy storage capacitors?Jayakrishnan, A. R.; Silva, José Pedro Basto; Kamakshi, K.; Dastan, D.; Annapureddy, V.; Pereira, M.; Sekhar, K. C.ArtigoAcesso aberto
15-Jun-2023Thickness-dependent microstructure, resistive switching, ferroelectric, and energy storage properties of pulsed laser deposited 0.85[0.6Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.4(Ba0.7Ca0.3)TiO3]-0.15SrTiO3 thin filmsTasneem, Muhassinah; Monteiro, Carlos R.P.; Kumar, N. S.Kiran; Silva, José Pedro Basto; Sekhar, K. C.; Kamakshi, K.; Pereira, MárioArtigoAcesso aberto
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