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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
Jun-2018Annealing induced effect on the physical properties of ion-beam sputtered 0.5 Ba(Zr0.2Ti0.8)O3 – 0.5 (Ba0.7Ca0.3)TiO3-δ ferroelectric thin filmsOliveira, M. J. S.; Silva, J. P. B.; Veltruská, K.; Matolín, V.; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, M.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2019High-performance ferroelectric-dielectric multilayered thin films for energy storage capacitorsSilva, José Pedro Basto; Silva, João M. B.; Oliveira, Marcelo J. S.; Weingärtner, Tobias; Sekhar, Koppole C.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2023Large ferro–pyro–phototronic effect in 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin films integrated on silicon for photodetectionSilva, José Pedro Basto; Gwozdz, Katarzyna; Marques, Luís S.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.; MacManus-Driscoll, Judith L.; Hoye, Robert L. Z.ArtigoAcesso aberto
2012Ferroelectric switching behavior of pulsed laser deposited Ba0.8Sr0.2TiO3 thin filmsSilva, José Pedro Basto; Sekhar, Koppole C.; Rodrigues, Sofia A. S.; Khodorov, Anatoli Anatolievich; Martin-Sanchez, Javier; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Jan-2023Electrical properties of flexible ceramicsKiran Kumar, N. S.; Jayakrishnan, A. R.; Rugmini, R.; Silva, José Pedro Basto; Pereira, Mário; Sugumaran, Sathish; Sekhar, K. C.Capítulo de livroAcesso restrito UMinho
Ago-2020HfO2–Al2O3 Dielectric Layer for a Performing Metal–Ferroelectric–Insulator–Semiconductor Structure with a Ferroelectric 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 Thin FilmSilva, José Pedro Basto; Sekhar, Koppole C.; Veltruská, Katerina; Matolín, Vladimir; Negrea, Raluca F.; Ghica, Corneliu; Oliveira, Marcelo José Silva; Moreira, Joaquim Agostinho; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
Mai-2020Robust resistive switching performance of pulsed laser deposited SiC/Ag/SiC tri-layer thin films deposited on a glass substrateKamakshi, Koppole; Silva, José Pedro Basto; Kumar, N.S. Kiran; Sekhar, K. C.; Pereira, MárioArtigoAcesso restrito UMinho
18-Dez-2015Enhanced resistive switching and multilevel behavior in bilayered HfAlO/HfAlOx structures for non-volatile memory applicationsFaita, F. L.; Silva, J. P. B.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2018Ferroelectric switching dynamics in 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O-3-0.5( Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, K.; Negrea, R. F.; Ghica, C.; Wang, J.; Koster, G.; Rijnders, G.; Figueiras, F.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2014Effect of bi-layer ratio in ZnO/Al2O3 multilayers on microstructure and functional properties of ZnO nanocrystals embedded in Al2O3 matrixSekhar, K. C.; Levichev, S.; Buljan, M.; Bernstorff, S.; Kamakshi, Koppole; Chahboun, Adil; Almeida, A.; Moreira, J. A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
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