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DataTítuloAutor(es)TipoAcesso
Jan-2016Ferroelectric polarization and resistive switching characteristics of ion beam assisted sputter deposited BaTiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2017Unraveling the resistive switching effect in ZnO/0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 heterostructuresSilva, J. P. B.; Vorokhta, M.; Dvořák, F.; Sekhar, K. C.; Matolín, V.; Moreira, J. Agostinho; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
18-Dez-2015Enhanced resistive switching and multilevel behavior in bilayered HfAlO/HfAlOx structures for non-volatile memory applicationsFaita, F. L.; Silva, J. P. B.; Pereira, Mário; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
2016Resistive switching in ferroelectric lead-free 0.5Ba (Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 thin filmsSilva, J. P. B.; Kamakshi, Koppole; Sekhar, K. C.; Queirós, E. C.; Moreira, J. Agostinho; Almeida, A.; Pereira, Mário; Tavares, P. B.; Gomes, M. J. M.ArtigoAcesso restrito UMinho
15-Jun-2023Thickness-dependent microstructure, resistive switching, ferroelectric, and energy storage properties of pulsed laser deposited 0.85[0.6Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.4(Ba0.7Ca0.3)TiO3]-0.15SrTiO3 thin filmsTasneem, Muhassinah; Monteiro, Carlos R.P.; Kumar, N. S.Kiran; Silva, José Pedro Basto; Sekhar, K. C.; Kamakshi, K.; Pereira, MárioArtigoAcesso aberto
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