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https://hdl.handle.net/1822/89644| Título: | Characterization of Al2O3 and SiO2 ultra thin-films deposited by ALD for microfabricated rubidium vapor cells |
| Autor(es): | Cunha, Florival Moura Silva, Manuel Fernando Ribeiro Correia, J. H. |
| Palavras-chave: | Atomic Layer Deposition ALD Al2O3 SiO2 Thin-films |
| Data: | 7-Set-2022 |
| Resumo(s): | The Atomic Layer Deposition (ALD) technique can be used to increase the lifetime of microfabricated rubidium vapor cells (magnetic sensors for magnetoencephalography) by an ultra-thin coating layer deposited on the internal cell walls (Figure 1). The ALD presents excellent control over the ultra thin films thickness (< 20 nm) and allows complex 3D structures to be covered with a high-aspect-ratio coating. This work shows the characterization of alumina (Al2O3) and silicon dioxide (SiO2) ultra-thin films deposited by Thermal ALD (ThALD) and Plasma-Enhanced ALD (PEALD). |
| Tipo: | Poster em conferência |
| URI: | https://hdl.handle.net/1822/89644 |
| Arbitragem científica: | yes |
| Acesso: | Acesso aberto |
| Aparece nas coleções: | DEI - Artigos em atas de congressos internacionais |
Ficheiros deste registo:
| Ficheiro | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Poster_FCuha_FSilva_FCunha.pdf | 1,32 MB | Adobe PDF | Ver/Abrir |
