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https://hdl.handle.net/1822/19820
Título: | Fabrico de células solares de filme de silício amorfo higrogenado utilizando a técnica de deposição química de vapores assistida por filamento aquecido |
Autor(es): | Machado Júnior, George Luiz |
Orientador(es): | Alpuim, P. |
Data: | 2011 |
Resumo(s): | É apresentado um estudo da fabricação de células solares de filme fino na estrutura de diodos superstrato p-i-n em substratos de plástico à temperatura de 150ºC, usando
diferentes camadas de absorção (camada i). A estrutura típica da célula solar fabricada nesse trabalho foi feita com sucessivas camadas: PEN/GZO/p/buffer/i/n/metal. GZO é
uma camada transparente condutora janela produzida com Óxido de Zinco dopada com
Gálio e o buffer é uma camada de silício amorfo de hiato de energia proibida (gap)
maior ~10nm de espessura. Células solares flexíveis, depositadas totalmente por
deposição química de vapores assistida por plasma assistido de radio freqüência (RFPECVD) em plástico do tipo PEN, tiveram eficiência de 5.0%, JSC = 11.2 mA/cm2 e VOC
= 0.830 V. Células solares similares depositadas sobre PEN, porém com a camada –i
depositada por deposição química de vapores assistida por filamento aquecido (HWCVD),
tiveram eficiência de 4.53%, JSC = 12.7 mA/cm2 e VOC = 0.699 V. Células
solares fabricadas em PEN e vidro Asahi-U têm características comparáveis, no entanto, o melhor fill factor obtido no PEN é 55.6% contra 60.1% no vidro. A study of the fabrication of thin-film silicon solar cells in the p-i-n superstrate diode configuration on plastic substrates at a temperature of 150 ºC, using different absorbing i-layers, is presented. In this work a typical solar cell structure comprises the following successive layers: PEN/GZO/p/buffer/i/n/metal. GZO is a transparent conductive window layer made of Zinc Oxide doped with Gallium and buffer is a high-bandgap ~10 nm-thick amorphous silicon layer. Flexible solar cells deposited entirely by radiofrequency plasma enhanced chemical vapour deposition (RF-PECVD) on PEN had a conversion efficiency of 5.0%, JSC = 11.2 mA/cm2, and VOC = 0.830 V. Similar solar cells on PEN but with the i-layer deposited by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD), had the efficiency of 4.53%, JSC = 12.7 mA/cm2, and VOC = 0.699 V. Devices fabricated on PEN and on Asahi-U glass have comparable characteristics. However, the best fill factor obtained on PEN is 55.6% whereas on glass it is 60.1%. |
Tipo: | Dissertação de mestrado |
Descrição: | Dissertação de mestrado em Física de Materiais Avançados (área de especialização em Materiais Funcionais para a Nano e Microtecnologias) |
URI: | https://hdl.handle.net/1822/19820 |
Acesso: | Acesso restrito UMinho |
Aparece nas coleções: | BUM - Dissertações de Mestrado CDF - FMNC - Dissertações de Mestrado/Master Thesis |
Ficheiros deste registo:
Ficheiro | Descrição | Tamanho | Formato | |
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George Luiz Machado Junior.pdf Acesso restrito! | Dissertação de mestrado | 4,61 MB | Adobe PDF | Ver/Abrir |